西湖娱乐城,西湖娱乐城官方网站,西湖娱乐城APP,西湖娱乐城网址,西湖娱乐城注册消息称三星电子计划明年 3 月启动第十代 4xx 层 V-NAND 量产线

　　IT之家7 月 2 日消息，韩媒 ETNews 当地时间昨日报道称，三星计划明年三月启动其下一代 3D NAND 闪存 —— 第十代 V-NAND 的首条量产线 月进入全面量产阶段

　　据悉该产线 月开始设备安装，上半年建成产线，此后进行试生产，在稳定后转入正式量产。这一时间表晚于此前部分人士的预期。

　　三星电子目前最先进的 NAND 工艺为 286 层的 V9，而下代 V10 的堆叠层数将暴涨到 400 层以上（IT之家注：据悉为 430 层左右），届时有望成为最高堆叠闪存，其还引入了超低温蚀刻、混合键合等先进技术。

　　根据三星电子为今年 2 月的 ISSCC 2025 会议准备的演讲，其 V10 NAND 的 TLC 版本

　　的存储密度、5.6Gbps 的 I/O 引脚速率。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。